请同仁翻译一段(半导体专业优先),谢谢!

An unpolished silicon (or semiconductor) wafer supporting a plurality of rectifier structure comprising:  a top layer of opposite polarity is formed for a p-n junction, the bottom layer of the same polarity is formed for the ohmic contact, the passivation layer of either glass or multiple layers of CVD films around the edge of the chip is used for the high voltage termination, the etched structure with multiple round, hexagon, stripe or other shapes for the Schottky contacts, the top metal for the Schottky contact as well as the ohmic contact to the top side of the wafer.

周末在线的人少啊

一种支撑多个整流结构的未抛光硅（或半导体）晶片，其包括：形成的用于p-n结的反极性顶层，形成的用于欧姆接触的同极性底层、芯片边缘周围用于高压终端结构的玻璃或多层CVD膜的钝化层、用于肖特基接触的具有多种圆形、六边形、条形或其他形状的蚀刻结构、用于到晶片顶面的欧姆接触及肖特基接触的顶层金属。

试着翻译了以下，不对的地方，请高手指正

谢谢狗狗23 !

这里,有光学背景的人的翻译法:
一种支撑复合整流器结构的没有抛光的硅或半导体基片，包括：
类型相反的顶层形成p-n结；
类型相同的底层形成欧姆接触；
用于终止高电压的芯片边缘周围的玻璃或多层CVD膜电压终止结构层；
用于肖特基接触的刻蚀的多重圆环、六角形、条状或其他形状的结构；
用于肖特基接触的顶层金属及与基片顶边的欧姆接触.

还请高手顺顺.

类型应该是极性，其他的应该问题不大

狗狗23 wrote:
一种支撑多个整流结构的未抛光硅（或半导体）晶片，其包括：形成的用于p-n结的反极性顶层，形成的用于欧姆接触的同极性底层、芯片边缘周围用于高压终端结构的玻璃或多层CVD膜的钝化层、用于肖特基接触的具有多种圆形、六边形、条形或其他形状的蚀刻结构、用于到晶片顶面的欧姆接触及肖特基接触的顶层金属。

试着翻译了以下，不对的地方，请高手指正

用于到晶片顶面的欧姆接触及肖特基接触的顶层金属，不太理解，是不是指用于同晶片顶面之间形成欧姆接触及肖特基接触的顶层金属？

zls0 wrote:
谢谢狗狗23 !

这里,有光学背景的人的翻译法:
一种支撑复合整流器结构的没有抛光的硅或半导体基片，包括：
类型相反的顶层形成p-n结；
类型相同的底层形成欧姆接触；
用于终止高电压的芯片边缘周围的玻璃或多层CVD膜电压终止结构层；
用于肖特基接触的刻蚀的多重圆环、六角形、条状或其他形状的结构；
用于肖特基接触的顶层金属及与基片顶边的欧姆接触.

还请高手顺顺.

我觉得不顺，侧重点应该是具有某种特点的层，而不是某层具有某种特点，这样翻译很不恰当。

看不到附图，又不了解半导体器件的结构，仅从字面试译，和楼主给的译文差别很大。

一种支撑复合整流器结构的没有抛光的硅或半导体基片，包括：
为p-n结形成的相反极性的顶层；
为欧姆接触形成的相同极性的底层；
用于高电压终止的芯片的边沿周围CVD膜的玻璃或多个层的钝化层；
用于肖特基接触且呈多环形、六边形、条形或其他形状的刻蚀结构；
用于基片顶边的肖特基接触以及欧姆接触的顶层金属。

是晶闸管不