帮忙分析两个权利要求

B 公司权利要求：一个形成半导体器件的方法包括用热氧化在衬底上面形成A层，在A层上面形成B层以及在A层和衬底之间形成C层。
A公司权利要求：一种制作半导体器件的方法包括：以热氧化制程在一衬底上形成薄膜层A,以及在薄膜层A上形成薄膜层B。
  请帮忙分析一下这两个权利要求的关系，比如A公司的是否涵盖了B公司的，并给出你的理由，谢谢！

A公司的权利要求是否覆盖了B公司的权利要求，需要具体分析。我认为有两种情况。
如果在衬底和A层之间形成C层是现有技术，而且没有对A公司的技术方案有实质性改进。按照A公司的权利要求就覆盖了B公司的权利要求。这种情况可以按多余制定原则来判定，结合权利要求书和说明书。
如果在衬底和A层之间形成C层是区别技术特征，那么就没有覆盖。这种情况下B 公司权利要求是这样的：一个形成半导体器件的方法，包括用热氧化在衬底上面形成A层，在A层上面形成B层，其特征在于在A层和衬底之间还形成C层。两种方法形成的半导体器件是不同的。

失眠者随笔 wrote:
A公司的权利要求是否覆盖了B公司的权利要求，需要具体分析。我认为有两种情况。
如果在衬底和A层之间形成C层是现有技术，而且没有对A公司的技术方案有实质性改进。按照A公司的权利要求就覆盖了B公司的权利要求。这种情况可以按多余制定原则来判定，结合权利要求书和说明书。
如果在衬底和A层之间形成C层是区别技术特征，那么就没有覆盖。这种情况下B 公司权利要求是这样的：一个形成半导体器件的方法，包括用热氧化在衬底上面形成A层，在A层上面形成B层，其特征在于在A层和衬底之间还形成C层。两种方法形成的半导体器件是不同的。

我觉得，不管C层是现有技术还是区别技术特征,A权利要求均覆盖了B权利要求。二者均包括步骤：
1.在衬底上面形成A层，
2.在A层上面形成B层。
  C层是否是现有技术只能影响B权利要求的新颖性和创造性。

  上面A公司权利要求使用开放式写法，可理解还可以包括没有述及的部分或步骤。

同意laoqu的分析
我的思路有些偏差
请版主扣掉我此贴的加分 to laoqu ！

我觉得从结构上来说，A公司权利要求覆盖了B公司的权利要求，同意楼上laoqu的说法，c层是否为现有技术影响B公司权利要求的新颖性和创造性

但是，从层是否为薄膜层来说呢？B公司权利要求中的A层B层是否一定为薄膜层？
也就是说，A层薄膜层及B层薄膜层是否为现有技术影响A公司权利要求的新颖性和创造性

谢谢大家，这里我忘记了开放式权利要求一说。
另外，需要说明的是C层：B公司申请的C层的材料不同于现有技术，所以具有新颖性和创造性。