东华工程科技股份有限公司最新发明专利:一种改进的低压合成工艺制备三氯氢硅的方法201210275343.X于2014年01月15日获得国家知识产权局授权。


一种改进的低压合成工艺制备三氯氢硅的方法201210275343.X
的说明书摘要为:

本发明公开了一种改进的低压合成工艺制备三氯氢硅的方法,包括硅粉(Si)和氯化氢(HCl)的低压合成法制备三氯氢硅TCS的流程与设备,所述设备主要包括二氯二氢硅DCS蒸发器和流化床反应器,把精馏工段的二氯二氢硅DCS在蒸发器中气化,然后将气态的二氯二氢硅DCS通入流化床反应器和过量的HCl反应来制备三氯氢硅;精馏工段一定时间内聚集的DCS反应结束后,转入硅粉(Si)和氯化氢(HCl)的低压合成法制备三氯氢硅TCS的流程。该方法既是一种新的TCS的制备方法,同时也解决了一个传统改良西门子法的弊端:DCS富集的问题,工艺简洁、易操作、安全、稳定。
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