深圳顺络电子股份有限公司最新发明专利：一种中高介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法201210008597.5；铁氧体磁芯坯体的制造方法以及铁氧体磁芯的制造方法201210123721.2；一种片式元件陶瓷膜片的打孔模具、打孔设备及打孔方法201010585139.9于2013年12月25日获得国家知识产权局授权。
一种中高介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法201210008597.5
| 一种中高介电常数低温共烧陶瓷材料，陶瓷主相包括15～35％的Nb2O5，10～25％的ZnO、10～25％的BaO、10～20％的TiO2、1～10％的ZrO2、1～8％的Sm2O3，和余量的La2O3；助熔料包括5～10％的SnO2、5～10％的CuO、5～10％的SiO2和1～5％的B2O3，此外还包括0～5％的Al2O3和0～5％的LiF。制备方法步骤如下：1)制得一次陶瓷材料混合物；2)首次研磨；3)煅烧；4)制得二次助熔料与陶瓷主相煅烧料的研磨混合粉体；5)再次煅烧；6)再次研磨。测试结果如下：烧结温度低至830℃～880℃，烧结收缩率可控制在10～20％；介电常数调节范围为35～55，介电损耗率低至0.001以下；谐振频率温度系数为-20～20ppm，可用来制作小型化、高容量的微波器件。 |
铁氧体磁芯坯体的制造方法以及铁氧体磁芯的制造方法201210123721.2
| 本发明公开了一种铁氧体磁芯坯体的制造方法，包括：（1）将70%~95%的铁氧体粉料和5%~30%的粘结剂进行混炼成泥料，冷却至室温后，破碎成Ф3~8mm的物料，其中，铁氧体粉料包括60%~70%的氧化铁，10%~20%的氧化镍，2%~10%的氧化铜，15%~25%的氧化锌；粘结剂包括石蜡40%~80%、聚乙烯5%~25%、聚丙烯5%~25%、邻苯二甲酸二辛酯1%~3%、邻苯二甲酸二丁酯1%~3%和油酸2%~8%；（2）在120~220℃下，将物料加热熔化，在50~150Bar的压力下将熔融的物料注入模腔中；（3）模腔填充后，物料中的热量通过模具传导出去，打开模具，取出已固化的铁氧体磁芯坯体。 |
一种片式元件陶瓷膜片的打孔模具、打孔设备及打孔方法201010585139.9
| 本发明公开了一种片式元件陶瓷膜片的打孔模具、打孔设备和打孔方法,打孔模具其包括上模具、下模具和固定定位装置,上模具和下模具对应的设有上模具孔和下模具孔。打孔设备,包括高压喷水装置和打孔模具,高压喷水装置正对上模具设置,使用时,陶瓷膜片被固定定位装置固定并定位在上模具和下模具之间,高压喷水装置喷出的水击穿陶瓷膜片。打孔方法包括1)将陶瓷膜片放置于上模具和下模具之间,2)用固定定位装置将陶瓷膜片固定定位在对齐的上模具孔和下模具孔之间;3)高压喷水装置喷出水击穿陶瓷膜片。本发明具有以下优点:设备投资低、维护成本低、设备操作简单、生产成本低,可广泛适用于电子元件陶瓷材料的孔加工。 |
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