1）超格子层が第一导电型不纯物を含むドプ层を有し，且つ活性层が障壁层を有するとき，超格子层の1周期当たりの厚みに对するドプ层の1层当たりの厚みの割合は，活性层の1周期当たりの厚みに对する障壁层の1层当たりの厚みの割合以上であることが好ましぃ
１）超晶格层具备含有第一导电性不纯物的掺杂层，且活性层具备阻挡层时，超晶格层的对应每1周期的厚度的掺杂层的每层厚度的比例，以在对应活性层每1周期的厚度的阻挡层的每1层厚度的比例以上为宜。
2）长周期超晶格层13は，短周期超晶格层11と同じく，ドプ层13Aと，アンドプ层13Bと，ドプ层13Aおよびアンドプ层13Bとは異なる1层以上の半导体とが顺に積層されて超格子構造を构成していても良い。
2）长周期超晶格层13，与短周期超晶格层11相同，也可以是由与掺杂层13A、未掺杂层13B、掺杂层13A以及未掺杂层13B不同的一层以上的半导体依次堆积的超晶格层构造构成。 |
