1、授权发明 光致变色1-噻吩2-苯基六元环混联型不对称全氟环戊烯化合物的制备方法及应用 200610124440.3
摘要：本发明公开了一种光致变色1-噻吩2-苯基六元环混联型不对称全氟环戊烯化合物及其制备方法与用途,该光致变色材料在溶液或薄膜中均可保持良好的光致变色性能,且开环态(无色态)和闭环态(呈色态)均具很好的化学和热稳定性、较高的环化量子产率和很好的灵敏度等优越性能,该化合物的抗疲劳性很差,光致变色循环次数小于10,利用这一特性,可用于有限读出次数光盘的存储介质,如用于制备防盗版光盘;同时它具有指定的吸收波长,呈色态的吸收光谱位于500-700NM,可与波长为532或650NM的激光器相匹配,进行有机光致变色光子型记录介质的研制。
2、授权发明 光致变色噻唑六元环混联型不对称全氟环戊烯化合物及制备方法和应用 200910115662.2
摘要：本发明公开了一种光致变色噻唑六元环混联型不对称全氟环戊烯化合物及其制备方法与用途,该光致变色材料在溶液或薄膜中均可保持良好的光致变色性能,且开环态(无色态)和闭环态(呈色态)均具很好的化学和热稳定性、显著的抗疲劳性、较高的环化量子产率和很好的灵敏度等优越性能,具有指定的吸收波长,呈色态的吸收光谱位于400～600NM,正好与波长为532NM的激光器相匹配,可用于较短波长有机光致变色光子型记录介质的研制,它还可用于荧光检测及荧光光控开关,此类光致变色材料已初步用于高密度全息光存储,其存储属性为可擦写光子型存储。
3、授权发明 光致变色噻吩吡咯混联型全氟环戊烯化合物及合成方法和应用 200510019947.8
摘要：本发明公开了一种光致变色噻吩吡咯混联型全氟环戊烯化合物及其制备方法与用途,该光致变色材料在溶液或薄膜中均可保持良好的光致变色性能,且开环态(无色态)和闭环态(呈色态)均具很好的化学和热稳定性、显着的抗疲劳性、较高的环化量子产率和很好的灵敏度等优越性能,其开环态在350-450NM范围内具有较强的荧光,而闭环态没有荧光,因而可用于荧光检测及荧光光控开关,并成功用于高密度全息光存储,其存储属性为可擦写光子型存储。
4、授权发明 光子型间苯取代基全氟环戊烯类二芳烯光致变色材料的制备及其在双光子光存储中的应用 200510018209.1
摘要：本发明公开了一种光子型间苯取代基全氟环戊烯类二芳烯光致变色材料及其制备方法与用途,该光致变色材料在溶液或薄膜中均可保持良好的光致变色性能,并且开环态(无色态)和闭环态(呈色态)均具很好的化学和热稳定性、显著的抗疲劳性、较高的环化量子产率和很好的灵敏度等优越性能,同时具有双光子吸收特性,可用800nm激光器进行双光子存储记录,其主要用于超高密度双光子光信息存储中。
5、授权发明 光致变色噻吩噻唑杂环混联型不对称全氟环戊烯化合物及制备方法和应用 200910115609.2
摘要：本发明公开了一种光致变色噻吩噻唑杂环混联型不对称全氟环戊烯化合物及其制备方法与用途,该光致变色材料在溶液或薄膜中均可保持良好的光致变色性能,且开环态(无色态)和闭环态(呈色态)均具很好的化学和热稳定性、显著的抗疲劳性、较高的环化量子产率和很好的灵敏度等优越性能,具有指定的吸收波长,呈色态的吸收光谱位于400～600NM,正好与波长为532NM的激光器相匹配,可用于较短波长有机光致变色光子型记录介质的研制,它还可用于荧光检测及荧光光控开关,此类光致变色材料已初步用于高密度全息光存储,其存储属性为可擦写光子型存储。
6、授权发明 光致变色异噁唑噻吩混联型全氟环戊烯化合物及合成方法和应用 201010187593.9
摘要：本发明公开了一种光致变色异噁唑噻吩混联型全氟环戊烯化合物及其合成方法与应用,该光致变色材料在溶液或薄膜中均可保持良好的光致变色性能,且开环态(无色态)和闭环态(呈色态)均具很好的化学和热稳定性、显著的抗疲劳性、较高的环化量子产率和很好的灵敏度等优越性能,开环态在350-550nm范围内具有较强的荧光,而闭环态几乎没有荧光,因而可用于荧光检测及荧光光控开关,同时可用于高密度全息光存储,其存储属性为可擦写光子型存储,其应用前景广大。
7、授权发明 光致变色苯并呋喃噻吩混联型全氟环戊烯化合物及合成方法和应用 201010187572.7
摘要：本发明公开了一种光致变色苯并呋喃噻吩混联型全氟环戊烯化合物及其合成方法与用途,该光致变色材料在溶液或薄膜中均可保持良好的光致变色性能,且开环态(无色态)和闭环态(呈色态)均具很好的化学和热稳定性、显著的抗疲劳性、较高的环化量子产率和很好的灵敏度等优越性能,开环态在350-450nm范围内具有较强的荧光,而闭环态几乎没有荧光,因而可用于荧光检测及荧光光控开关,同时可用于高密度全息光存储,其存储属性为可擦写光子型存储,其应用前景广大。
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