日文翻译求助

审查员引用的日本专利，关键一句话见下图，在线等  多谢

试译一下：
这时，上述硅氧化膜10相对于上述第一非晶质硅膜4a的面的位置变成突出状态。其次，将上述硅氧化膜10等方向性地蚀刻，通过对例如上述第一非晶质硅膜4a进行大选择比的湿加工，以如图所示那样使上述硅氧化膜10的上端部的角A降低。

此时，上述硅氧化膜10变成为相对于上述第一非晶质硅膜4a的面的位置突出的状态。然后,将上述硅氧化膜10进行等向性蚀刻,比如实施对第一非晶质硅膜4a的选择比(蚀刻速度比)大的湿蚀刻,如图所示,使上述硅氧化膜10的上端部角A降低.

不是半导体专业的,试着翻了一下.觉得楼上翻的\"通过对例如上述第一非晶质硅膜4a进行大选择比的湿加工，\"好像有点问题.供参考.