超级头疼的电学句子，请高手指点

如题，感谢您的关注，请不吝赐教！谢谢！
初译为：当正向电压V加在磁性存储层（52）和参考层（53）之间时，电势50在中间层130中的133，134中形成电子势阱51，133和134分别与中间层和磁性存储层（电势52）、参考磁性层（电势53）之间的内表面相距e1和e2。

图中50-53表示电势，131-134等表示层

按照我的理解，51的产生与是否有正向电压V存在并无因果关系，而是在正向电压V存在的情况下发挥well的作用。因此我倾向于将此句子的逻辑翻译成“在……的情况下，……具有……”。

再次感谢madsun的回复，
是否可以理解为：
在正向电压V加在磁性存储层（电势52）和参考层（电势53）之间的情况下，电势50在中间层130中的133，134中具有电子势阱51的作用
另外，seen by electrons应该怎么翻译，还有the storage layer 52 翻译成存储层（电势52）是否合适，麻烦madsun等高手再次出手相助，谢谢！

试着翻译了一下：

当正电压V施加于存储层（52）和参考层（53）时，电子所见的电势50代表与存储层52和参考层53的势阱51，所述势阱51位于分别距离中间层的界面e1和e2的插入层133和134处。

说明：
1、seen by electrons，只是生硬地直接字面翻过来了，个人感觉似乎对表意没太大影响。

2、insert暂定插入层，在对全文了解的基础上，可以进一步确定最终翻译。

请方家指正，与原译文出入似乎较大，内心忐忑ing。。。。。。。

我觉得：reference layer 译成基准层更合适

linda_wang wrote:
我觉得：reference layer 译成基准层更合适

很有道理，感谢各位大侠出手相助，请更多高手相助，因为及时让我用汉语描述这个电势图，我都决定吃力。
再次感谢您的关注！

在存储层52和参考层53之间施加正电压V的情况下，电子电势50在插入层133或134处存在势阱50，所述插入层133或134在中间层130内部，与中间层与存储层之间界面的距离为e1，与中间层与参考层53之间的界面的距离为e2.
翻译的比较混乱。说实话，我认为这句话的原文逻辑关系就比较混乱，也就只能这么翻译了。PCT就这么回事吧，遇到洋垃圾也没办法。

再次感谢madsun！祝工作愉快！