Re:"LED产业专利态势分析报告"哪儿可以下载？
florian已经提供帮助，非常感谢！！也同样感谢沉默之沙。
Re:"LED产业专利态势分析报告"哪儿可以下载？
我也非常希望能参考一下，请问能借我看看吗？Re:"LED产业专利态势分析报告"哪儿可以下载？
resun wrote:florian已经提供帮助，非常感谢！！
也同样感谢沉默之沙。
太客气了，哈哈
Re:"LED产业专利态势分析报告"哪儿可以下载？
能发给我一份吗？多谢！jialiah@yahoo.com
Re:"LED产业专利态势分析报告"哪儿可以下载？
我在网上找的这个，不知道是不是全的，好像内容不多，对核心专利的分布没有描述如果不全的话，不知道那位大虾能给我email一份tanny.tam@gmail.com,谢谢
发光二极管产业全球专利竞争态势分析报告
LED是半导体二极管的一种，它能将电能转化为光能，发出黄、绿、蓝等各种颜色的可见光及红外和紫外不可见光。与小白炽灯泡及氖灯相比，它具有工作电压和电流低、可靠性高、寿命长且可方便调节发光亮度等优点。
头顶环保节能耀眼光环：大功率高亮度及白光LED具有三大突出优点（高效节能、寿命长、绿色环保），应用领域不断扩大。发展LED产业符合我国倡导节能减排政策，“十一五”规划中国家将绿色照明列于十大节能工程首位。
LED行业处于快速成长阶段，2010年再现增长拐点：自2000年以来手机背光源的应用引发LED的爆发性成长以来，LED逐渐进入汽车、大中尺寸液晶 面板背光源、特殊照明等领域并获得了快速成长，应用领域进一步扩大；广阔的照明市场将成为LED产业前进的强力引擎，全球各国纷纷制订半导体照明促进计 划，并确定了白炽灯泡退市具体日期，LED照明大规模应用指日可待。现在LED技术超过规划速度发展，最高水平已达普通照明要求，万事俱备只欠成本进一步 降低。我们预计2010年将是LED照明获得突破性进展的一年。
国内LED企业机遇挑战并存：2010年LED行业许多专利将逐渐到期，国内企业有望突破欧美日本巨头的知识产权枷锁，利用国内庞大的市场基础和丰富的劳动力资源，在全球LED产业占据一席之地。
首次推荐评级：LED产业资金技术集中于产业上游，上市公司中我们看好业务涉及产业链上端、议价能力较强的联创光电、三安电子和士兰微；而考虑LED应用市场的巨大潜力，我们同时还看好LED应用型企业方大A和同方股份。
风险提示：虽然短期来看OLED具有寿命低等技术缺陷和成本高昂的劣势，但被OLED侵占市场的风险依然存在。
1、LED的原理和应用
LED基本原理
发光二极管（LED）是由三五族化合物半导体为材料制成的光电元件，其核心是PN结。正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区，进入对方的区 域的部分少数载流子与多数载流子复合而发光。形成PN结的材料性质（禁带宽度）决定了发出光的波长，对于可见光来说，即决定了光的颜色。
LED的主要特点有：体积小、耗电量低、使用寿命长、高亮度低热量、环保耐用等特点。在适当的电流和电压下工作，LED的使用寿命可长达10万小时。
LED的分类和应用
根据所发出的光的类型，LED可分为可见光LED和不可见光LED两种。
可见光LED包括红、橙、黄、绿、蓝、紫光LED.其中红光LED材料以GaP（二元系）、AlGaAs（三元系）和AlGaInP（四元系）为主；蓝/白光LED材料以GaN为主。
LED的应用非常广泛，主要包括：
1、LED显示屏：室内外广告牌、体育计分牌、信息显示屏等；
2、信号指示灯：全国各大、中城市的市内交通信号灯、高速公路、铁路和机场信号灯，电子设备功能指示；
3、光色照明：室外景观照明和室内装饰照明；
4、专用普通照明：便携式照明（手电筒、头灯）、低照度照明（廊灯、门牌灯、庭用灯）、阅读照明（飞机、火车、汽车的阅读灯）、显微镜灯、照相机闪光灯、台灯、路灯；
5、安全照明：矿灯、防爆灯、应急灯、安全指标灯；
6、背光源：液晶显示器、液晶电视背光源。
7、汽车用灯：包括车内照明和车外照明，车内包括仪表板、电装产品指示灯（开关、音响等）、开关背光源、阅读灯以及外部刹车灯、尾灯、侧灯及头灯等。
8、其它应用：消费用，如儿童闪光鞋、圣诞树LED灯等。
LED产业链
LED产业链从上游到下***业的进入门槛逐步降低。上游为单晶片及其外延，中游为LED芯片加工，下游为封装测试以及应用。其中，上游和中游技术含量较 高，资本投入密度大，为国际竞争最激烈、经营风险最大领域。在LED产业链中，LED外延片与芯片约占行业70%利润，LED封装约占10~20%，而 LED应用大概也占10~20%.
单晶片为制造LED的基底，也称作衬底，多采用蓝宝石、碳化硅、GaAs、GaP为材料。外延片为在单晶上生长多层不同厚度的单晶薄膜，如AlGaAs、 AlGaInP、GaInN等，用以实现不同颜色或波长的LED.常见的外延方法有液相外延法（LPE）、气相外延法（VPE）以及金属有机化学汽相沉积 （MOCVD）等，其中VPE和LPE技术都已相当成熟，可用来生长一般亮度LED.而生长高亮度LED必须采用MOCVD方法。目前全球MOVCD的主 要制造厂家为德国的AIXTRON公司和美国VEECO公司，前者约占60%~70%的国际市场份额，后者占据30%~40%.日本厂家生产的设备基本限 于日本国内销售。
中游主要是芯片设计和加工。中游厂商根据LED的性能需求进行器件结构和工艺设计，通过外延片扩散、然后金属镀膜，再进行光刻、热处理、形成金属电极，接着将基板磨薄抛光后进行切割。
下游包括LED芯片的封装测试和应用。LED封装是指将外引线连接到LED芯片的电极上，形成LED器件，封装起着保护LED芯片和提高光取出效率的作 用。LED封装技术是从半导体分立器件的封装技术基础上发展而来。目前LED产品的封装类型主要有Lamp型、插入式（ThroughHole）、表面安 装型（SMD）、直接粘接式（DirectBonding）等。其中SMD型LED体积比其它传统型LED小，因此SMD型主要用于手机屏幕背光源及手机 按键，受手机需求影响较大。
2、全球LED产业介绍
产业概况
2007年全球LED市场总额超过60亿美元，较上年增长大约13.7%.根据isuppli公司的报告预测，2006年到2012年间，LED全球市场 的年复合增长率将达14.6%.其中增长的主要部分是超高亮度和高亮度LEDs.Isuppli预计到2012年LED市场总额将达到123亿美元，其中 超高亮度LEDs将占据LED总体收入的31%.
全球LED产业主要分布在日本、中国台湾地区、欧美、韩国和中国大陆等国家与地区。其中日本约占据50%的份额，是全球LED产业最大生产国，其动向几乎 为LED行业的指针。日本的日亚化学（Nichia）是全球最大的高亮度LED供货商，丰田合成（Toyoda Gosei）是全球第四、日本第二大高亮度LED生产厂商。欧美地区的欧司朗（Osram Opto）为全球第二大也是欧洲最大高亮度LED厂商。我国台湾地区产值第二。
由于台湾是全球消费电子产品生产基地，其LED业以可见光LED为主，目前是全球第一大下游封装及中游芯片生产地。
2006年到2008年LED的成长来源主要是手机背光源、汽车照明、特殊照明（如景观照明、LED显示屏、交通信号灯等）及15寸以下液晶面板的背光 源，液晶显示器和液晶电视（LCD）面板的背光源在2008年出现大规模量产。据Strategies Unlimited统计，2007年全球LED照明市场猛增60%，达到3.3亿美元。该公司预计2012年该市场总额将达14亿美元。
专利竞争
随着LED技术的快速进步及市场的不断扩大，国际上相当重视LED知识产权的保护和测试标准的制订，主要厂商利用专利优势，企图通过设置专利壁垒和制订行 业标准来控制市场。日本和欧美企业盘踞产业高端，手中握有大量专利，新兴地区如台湾、韩国企业不断遭遇日本及欧美公司的专利诉讼，处于被动局面。日本的日 亚化学公司在2002年前，凭着其十年来研发取得的涵盖LED结构、外延、封装和工艺以及荧光粉等相关原材料的专利权，在LED市场拥有相当的垄断地位。 预计全球LED领域的产品、技术的竞争将随着市场的扩大而更为激烈。
不过由于20年专利期限将到，许多LED专利的将于2010年逐渐失效。届时原有的产业专利结构将出现较大调整。新兴厂商有望获得新的发展契机。现在持有 大量专利技术的LED大厂纷纷展开相互授权的方式来规避专利问题，并利用原有的规模优势，大力开发新的专利技术。因此对于新兴业者如国内LED厂商而言， 专利到期既是机遇又是挑战。国内拥有外延、LED芯片设计和制造等上游技术能力的厂商，更有希望抓住机遇，在外延衬底及芯片技术上取得突破，扭转不利的专 业格局，成为LED产业新一波重组趋势的受益者。
节能环保，大势所趋
相同亮度下LED耗电仅为白炽灯的1/8，节能灯的1/2，寿命更能延长近100倍，可达10万小时；若普通照明全部采用LED灯，我国每年可节约用电近 千亿度，相当于一个三峡工程的发电量。此外，LED中不含汞、铅等有害元素，光线中不含紫外线和红外线，对人体无害。
欧盟著名的三大电子产品环保法令对电子产品的环保性做出了硬性规定。《报废电子电器设备指令》（WEEE）于2005年8月正式实施，目的是减少电器废弃量，增加废旧电器的再生使用，改善环境。《关于制定用能产品环保设计要求框架指令》（EuP）
是2005年7月22日发布并于发布之日起20天后生效。该指令覆盖范围广泛，欧盟委员会将根据EuP指令陆续对诸如供暖及热水设备、电动马达系统、家具及商业场所照明系统、家用及办公室用办公设备、个人电子产品等用能产品制订具体的实施措施。
《关于限制在电子电器设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）已于2006年7月正式开始实施，主要目的在于消除电子电机产品中的铅、水银（汞）、 镉、六价铬、多溴联苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE）共六项物质；根据RoHS指令，含有铅的普通照明光源（如荧光照明）将于2011年停止使用。
此外，2005年2月全球149个国际和地区通过的《京都议定书》开始生效，其目标是在2008年至2012年间将已开发国家的二氧化碳、甲烷、一氧化氮等六种温室气体排放量在1990年的基础上平均削减5.2%.
LED灯不含铅和汞等有害物质，无频闪，属于绿色光源；并且采用LED照明可大幅减少电力需求，进一步减少温室气体排放。随着全球节能环保意识的加强，节 能减排的议题不断强化。世界很多国家和地区纷纷出台政策，扶持半导体照明产业的发展。环保节能的LED产业将大放异彩。
3、国内LED产业发展概况
经过30多年发展，我国LED产业已初步形成较为完整的产业链，涵盖了LED衬底、外延片、芯片封装及应用的各个环节。目前国内LED产业链中，外延和芯 片环节发展相对滞后。国内从事LED外延片生产的企业仅10家左右，而从事LED芯片生产的厂商业也不多，产能集中度较高。主要原因是国内缺乏自主知识产 权和核心技术，生产设备落后且科研成果产业化不顺畅。MOCVD是制作LED外延片的关键设备，而我国MOCVD设备制造属于技术跟踪阶段，无法适应生 产。进口的生产型MOCVD设备售价高达1千到2千万人民币，这在一定程度上限制了国内上游产业的发展。2007年12月我国MOCVD总量80多台，其 中生产型GaN MOCVD有50多台、四元系MOCVD10台左右。根据各产商投资计划，2008年我国预计新增MOCVD超过40台，国内外延芯片产能规模将有较大提 升。
根据我国光学光电子协会的统计，2007年我国芯片产值为15亿元，比2006年的10.5亿元增长43%.预计未来几年国内芯片产能平均增长率将在 30%以上。2006年我国LED器件封装市场为146亿元人民币，2007年增长15%，达到了168亿元。2007年我国LED应用产品市值已经超过 300亿美元，预计2008年LED应用市场规模将达到540亿元。其中，我国2006年高亮度LED市场为90亿元，预计2010年将增长到280亿 元。预计到2008年，国内LED产业产值将超过1500亿元。
LED外延片和芯片对技术要求极高，国内在这两方面同国际先进水平还有一定差距。目前国内外延片和芯片的产量有限，外延片产量仅能满足封装企业需求量的 20%至30%，大陆很多芯片厂商须向国外和台湾地区购买外延片进行加工。国内LED外延和芯片的主要企业有：厦门三安、大连路美、杭州士兰明芯、上海蓝 光、深圳方大、江西联创、深圳世纪晶源、同方股份等。
2007年我国LED应用产品的产值已经超过300亿元，已成为LED全彩显示屏、太阳能LED、景观照明等应用产品的全球最大生产与出口国。根据专业咨 询机构StrategiesUnlimited预测，2008年我国LED应用市场规模将达到540亿元。我国LED显示屏是LED的主要应用市场，广泛 应用于车站、银行、医院等公共场所。2006年我国LED显示屏市场需求额为40.5亿元，比2005年增长25.1；2007年全国LED显示屏的市场 规模达到了72亿元。
景观照明是LED照明的最大应用市场，所占份额约为43%.由于LED照明节能环保，替代传统霓虹灯能够节电60%~70%，因此市场份额不断扩大。受 2008北京奥运会和2010年上海世博会的推动，我国LED景观照明在2007年市场增速达到了高峰。此外，超高亮、大功率LED器件已在我国城市交通 信号灯中得到了广泛采用。随着全国城市化进程和道路市政建设的发展，新建交通路口不断增加，传统的交通信号灯被LED信号灯更新换代。预计国内道路交通 LED信号灯市场将达数十亿元。此外高速公路指示灯、机场铁路航运等领域的信号、标识类用等，也存在很大市场潜力。
我国部分地区已开始进行路灯采用LED光源的改造试验，一旦时机成熟即向全国推广。台湾光学产业技术发展联盟预计全球LED街灯的市场规模在今年将达到10.4亿美元，中国市场为5.6亿美元左右。我国路灯行业统计近几年的增长率在20%以上。
2003年中国半导体照明工作小组的成立，表明政府对于LED在照明领域的发展寄予厚望，LED作为光源进入通用照明市场将成为日后产业发展的核心。在 “国家半导体照明工程”的推动下，我国已形成上海、大连、南昌、厦门和深圳等国家半导体照明工程产业化基地。相信随着LED行业和技术的不断成熟，加上国 家政策的支持和导向，LED在产灯大国——中国会有广阔的发展空间，未来几年内LED会像现在的荧光灯一样，从商业场所照明应用开始，逐渐飞入寻常百姓 家。
4、背光源应用方兴未艾，更多领域大展身手
手机背光源仍是主要应用市场
由于手机产业迅猛发展，LED在背光源方面的应用一度成为其最大的应用市场。
2007年全球手机用LED市场规模为17.6亿美元。然而由于彩屏手机市场成长趋缓，加上LED技术的进步，每部手机LED用量有所减少，并且LED单位价格不断下降，LED手机背光市场将表现有限。
不过由于手机照相功能对闪光灯的亮度要求提高，因此手机照相机的闪光灯有转用LED的趋势，07年手机闪光灯LED应用位3.87亿美元，增长 36.7%.此外，预计一两年内手机产业即将出现大规模3G更新换代革命，此领域的大幅度增长也值得期待。另外在其他需要背光源的中小尺寸面板如PDA、 手持游戏机以及GPS系统等新兴市场，虽然市场不及手机市场，白光LED已逐渐取代CCFL.2007年小屏幕LCD显示器和移动设备按键背光应用占总体 LED市场营业额的25%以上。因此，总的来说在中小面板背光领域，LED应用市场仍将保持稳定增长。
大尺寸LCD面板背光源CCFL的杀手
过去刺激LED市场增长的主要因素是市场对按键背光和移动设备显示方面有强劲需求，而现在电视电脑大屏幕LCD的背光等新型市场也将成为LED产业增长重要动力。
液晶（LCD）本身不发光，因此需要背光照明。目前大多数LCD采用阴极射线荧光灯（CCFL）作为背光源。但由于CCFL不是平面光源，为实现均匀的亮 度输出需要配备诸多辅助器件，因此结构复杂且亮度输出均匀性差，并且使用寿命不长。使用LED作为LCD的背光源，可进一步缩小LCD的体积，且拥有更高 的可靠性和稳定性。其发光寿命也远远高于CCFL.此外，LED的色彩表现力也远胜于CCFL.另外，CCFL还含有汞。
LED的另一优势是工作电压。CCFL的交流电压要求相对较高，启动时就达到了1500~1600Vac，然后稳定到700或800Vac.它们还需要电 源逆变器，以通过直流电源工作，这就增加了应用成本、面积和重量。而典型的LED背光子系统可在12~24Vdc或更低电压下工作，可以去掉逆变器，还能 消除电池干扰。
LED拥有更低功耗、更轻薄、更好色彩表现力和更环保的优点，迎合了消费者对笔记本电脑电池工作时间长、机身轻巧、色彩绚丽和健康的要求。2008年以 来，笔记本电脑厂商纷纷进军LED笔记本电脑市场。不过，目前LED背光源的屏幕在色彩饱和度方面存在不足，且亮度不够强，更重要的是LED背光源制造成 本较高，比CCFL技术屏幕要贵几倍。因此目前LED屏幕主要用于高端笔记本。随着面板厂商努力提高LED背光面板的成品率，未来几年白光LED背光笔记 本面板与CCFL背光之间的价差将缩小至10美元内。
据市场研究公司iSuppli预测，凭借功耗低、厚度薄、重量轻和环境友好等优势，LED未来几年将席卷笔记本电脑显示器背光市场。到2012年出货的 LCD笔记本电脑面板中，将有90%采用LED背光，而这一比例在2007年只有4.7%.今年年底采用LED背光源的大尺寸笔记本面板出货量将飙升 515.9%，从2007年的280台剧增到1740台。
尽管LED背光在笔记本电脑中普及率不断上升，由于笔记本电脑在总体大尺寸LCD需求中仅占很小比例，电视和显示器主宰背光市场，故LED对CCFL需求的压制作用有限。
科技市场调查机构Insight Media近期指出，目前用于46英寸液晶电视背光用的CCFL成本约为212美元，到2012年此项成本将降低至122美元。而现在46英寸液晶电视背 光用LED成本约为388，比CCFL高83%.2112年LED背光源成本将下降至138美元，比CCFL仅高出13%.根据这个成本结构模型，LED 背光源液晶电视占有率将于2010年底或2011年初迅速攀升。
据Issupli预测，2007年到2012年东南亚的液晶电视（LCD-TV）的出货量有望增长8倍以上，复合年增长率达到53.9%，2007年出货 量为160万件，到2012年将增加到1350万件。东南亚的LCD-TV市场总额将达63亿美元，与2007年的市场总量12亿美元相比，CAGR为 38.6%.显示器市场研究公司Displaybank在韩国显示大会上预测，到2011年取代现有CCFL背光源的LED BLU将达到市场总量的8%.
等离子难成气候，OLED短期无法替代
与液晶产品比较，等离子的最大缺点是分辨率提高困难。据iSuppli预测，等离子难以抗衡液晶显示器，由于平均销售价格下滑推动的等离子收入的增长，将于今年达到销售顶峰，09年开始出现下滑。
OLED即有机发光二极管，OLED显示技术与传统LCD显示方式不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，电流通过时，有机材料会发光。OLED显示屏幕可以做得更轻更薄，可视角度大，能够节省大量电能。
不过，OLED的大规模商业应用在2010年前不会出现OLED面板用能效率更高，可用来制作轻薄显示器，其图像颜色鲜艳，适用于显示快速移动的图像如体 育比赛和动作影片。但制作大型OLED屏幕仍然很艰难。OLED电视将会是液晶技术的补充，而无法取而代之。OLED显示技术的主要问题有：1、AM（主 动矩阵）OLED面板制造工艺效率低下。随着OLED显示屏尺寸的扩大，其良品及制造损失率也随着变大。2、OLED材料的使用寿命短。
5、照明市场无限商机，成功取决于成本降低
目前LED在特殊照明领域已经显示出节能环保效果，如代替霓虹灯的LED景观照明可节能70%，代替白炽灯的LED交通信号灯节能80%.固态照明技术的进步让LED在装饰照明和建筑照明市场也获得了新的用武之地。
不过，LED要在照明市场大展拳脚，尤其是进入发展潜力最大的普通照明领域，还有几道障碍须克服。首先，LED的发光效率必须达到150lm/W.自 2002年起，LED发光效率快速提高，价格持续下降，商业LED已达100 lm/W，超越了目前普通的白炽灯和卤素灯。白光LED的发光效率大约为199 lm/W，因此仍有相当进步空间。其次，必须解决LED光源的散热问题。功率LED因其较高的光效和优越的流明维持率而受市场追捧。但大功率LED对散热 技术要求较高，环境温度达到一定时就很快产生光衰，直接导致LED寿命下降。目前仅1W和3W的大功率LED少量用于市场，而5W和10W的大功率LED 还停留在实验室阶段。只有解决大功率LED的散射问题，最大限度延缓LED的光衰，才能大面积推广大功率LED的应用，使LED在室内照明的广泛使用变得 现实。
更现实的问题是，价格是直接影响LED照明普及速度的关键因素。人们期望以LED灯的购置成本+能源成本+维护成本+废弃物处理成本比白炽灯和荧光灯低， 但消费者仍以购置成本为选择标准，并不太在意高品质或多功能特性。根据台湾非营业高峰用电每度电价2.31台币计算，虽然LED灯泡能节省电费，但对于 1000流明（lm）的灯泡而言，市面上LED的售价是普通灯泡和节能灯泡价格的10到100倍。即使LED具有省电及寿命长等优势，但普通消费者很难为 了环保理念而花费高价购买。因此目前LED灯要代替大规模节能灯进入普通照明领域还有一段路要走。
近几年石油、煤炭、天然气等主要能源供需面趋紧，价格也水涨船高，引起了全球经济波动震荡。加上全球环保压力不断增加，LED作为环保节能高效的固态光 源，若与受到热捧的太阳能结合，必将引起全球照明极大革命。太阳能光伏发电技术与LED照明都为直流电、电压低，因此能互相匹配。二者的结合使用可能打开 另一块广阔应用天地。
6、国内从事LED业务的主要公司介绍
一、ST三安（600703）
07年三安集团通过拍卖取得ST天颐的控股权，原公司名称“天颐科技股份有限公司”变更为“三安光电股份有限公司”，并于今年将厦门三安电子有限公司涉及 生产、销售LED外延片及芯片所密切相关资产，全部过户至三安光电科技名下。ST天颐股票简称自今年7月14日起变更为“ST三安”。
三安电子成立于2000年11月，现为国内规模最大的超高亮度发光二极管外延及芯片生产企业，主要产品为光电子器件，即全色系超高亮度LED外延片和芯 片、探测器和太阳能芯片、光通讯核心元件等。公司主流产品为全色系超高亮度LED芯片，目前产能在国内占58%以上，在除日本外的亚太区排名第四，仅次于 台湾“晶电”、“华上”、“广稼”。
三安电子拥有14台国际一流的MOCVD及与之配套的芯片制造生产线和检测设备，具有年产外延片45万片、芯片150亿颗的规模化生产能力。公司多项研发 项目被国家科技部、发改委、信息产业部、商务部等列入火炬计划、863计划、973计划、电子发展基金等资助项目。公司在2004年3月获得国家科技部首 批“半导体照明工程专项资助”。公司掌握了先进的外延片生长及金属蒸发核心技术，达到国际同类产品的技术水平。截至2007年三安电子已拥有25项专利及 专有技术。目前三安拥有的技术团队来自日本、台湾和本土，研发实力与台湾大型企业水平已不相上下。
二、联创光电（600363）
江西联创光电科技股份有限公司是火炬计划重点高新技术企业，国家“铟镓氮LED外延片、芯片产业化”示范工程企业，南昌国家半导体照明工程产业化基地核心企业。
公司以LED和光电线缆为主导产业，主营业务领域包括LED、光电线缆、继电器、通信和信息服务。公司拥有国际先进水平的外延炉、芯片及器件封装设备和测 试仪器，形成了LED外延、芯片、器件、背光源及半导体照明光源等较完成的产业链和规模化生产。公司LED业务领域主要分为四个部分：1、公司为国内最大 LED芯片产量生产企业，年产15万平方英寸液相LED外延片，5万平方英寸蓝绿光LED外延片；2、公司的LED器件封装方面研制出了Lamp结构、食 人鱼结构、Top结构、PCB板结构的各色系高亮度发光二极管，并实现产业化，达到国内领先水平；3、公司生产的背光源产品主要广泛用于各类小尺寸（七寸 以下）以LCD作为信息显示终端的领域，公司正在强化笔记本电脑和TV液晶显示器LED背光源的研发，力图尽快进入大尺寸LED背光源领域；4、公司还研 制出各种结构LED应用产品，如LED电筒、台灯、矿灯等。
2007年公司LED主要投资两大项目：（1）高亮度、超高亮度及片式发光二极管技术改造：该项目投资19，900万元，已完工。（2）移动通信配套用片式LED及微型电声器件技术进步和产业升级：该项目投资16，000万元，处于建设之中。
三、士兰微（600460）
士兰微的子公司杭州士兰明芯科技有限公司从事半导体照明业务，注册资本2亿，士兰微占股69.02%.2007年该公司总资产为3.8亿，实现LED器件 芯片销售收入1.68亿，比2006年增长278.54%.今年上半年公司LED芯片收入实现将近1亿元，同比增长93.4%.报告期间公司新增两台 MOCVD外延炉（共计6台），蓝、绿光管芯产能已从年初的200kk/月增长到300kk/月，外延片自给率提高至40%以上，同时LED芯片毛利率提 高了6.2个百分点，从上年的37.7%提高到43.9%.
公司LED产品线的规划是：1）继续扩大高兴能蓝、绿光在户外户内彩屏市场的占有份额，同时向该市场推广红光芯片。2）进入应用于LCD背光源的白光LED领域。
3）加快新型结构高效率功率照明芯片的研发。
四、同方股份（600100）
2007年同方股份完成了五条LED生产线的建设，并已经形成年产大功率蓝光LED芯片4亿粒（以14mil计）的生产能力，同时二期十五条LED生产线 建设工作也正在展开。在技术方面，公司已经实现了批量生产发光强度140～200 mcd的14mil蓝光LED芯片，发光效率超过73lm/W，以及批量生产40mil大功率蓝光LED芯片，达到发光强度3000mcd，封装后白光 LED光通量65lm/W以上的水平，技术处于国际领先地位。07年公司承接了一系列大型景观照明工程，进一步推广了公司LED芯片在工程中的应用。
其中包括奥林匹克森林公园南园照明工程、天元照明设计开发项目、奥林匹克公园中心龙形水系喷泉工程、青岛奥运帆船中心照明工程、乌鲁木齐米东新区水景及照明工程等。
根据今年中报，08年公司加大了对高亮度LED产业的投入力度，在原有的5条MOCVD生产线的基础上，又在北京顺义天竺出口工业园投资建设了15条生产线，预计在年底可以达产。新增生产线由母公司投资，具体运营由经验丰富的清芯光电负责。
另一方面，公司投资500万美元，成功收购新加坡Tinggi公司60%的股权，进一步掌握了大功率LED芯片制造技术，为公司向大电流大功率照明级光源领域进军奠定了基础。目前同方股份的LED生产规模不够大，难以满足国际大厂需求。
五、方大A（000055）
方大作为国内第一家批量生产半导体照明用外延片和芯片的企业，核心业务涵盖了从外延生长、芯片制造、光源封装到各种应用灯具，泛光和景观照明系统设计与制 造、各种背光源模组设计和制造、室内外广告显示系统设计和制造整条产业链。07年方大与沈阳市浑南新区国有资产经营公司共同投资组建沈阳市方大半导体照明 有限公司，下属子公司沈阳沃科半导体照明设计和工程公司、深圳市方大国科光电技术有限公司、深圳沃科半导体照明有限公司和深圳市半导体照明工程研究开发中 心，并以此为核心企业建设沈阳市半导体照明系统集成产业园。首期拟投资5亿元人民币，计划在5年内全部建成后，核心企业沈阳方大半导体照明有限公司将实现 产值20亿人民币。
主导产品包括用于制造紫、蓝、绿色芯片的外延片，各种尺寸的抗静电正装芯片和倒装芯片，各种规格的照明用大功率发光二极管，用于各种照明场合的标准和非标 准照明灯板、灯条以及各种规格的背光模组，各种照明灯具，各种数码控制之户内户外泛光和景观照明系统，各种室内室外广告显示系统和彩显幕墙系统。
六、大连路美芯片科技有限公司（未上市）
大连路美芯片科技有限公司是大连路明科技集团公司和美国路美光电公司共同投资设立的合资企业，总投资1.5亿美元，专业从事高品质LED半导体发光芯片和LD激光芯片的研发、生产和制造。美国路美光电公司前身为ATX（纳斯达克上市公司）
的光电公司，技术水平属于世界先进水平。
七、晶能光电有限公司（未上市）
晶能光电被认为是国内唯一一家具有自主知识产权LED生产企业。该公司以南昌大学江风益教授的“硅衬底蓝光二极管材料及器件”为依托，由金沙江、 Mayfield、永威投资、淡马锡等多家国际著名锋线投资基金投资，注册资金5千万美元，总投资30亿。晶能光电专门从事硅衬底氮化镓基LED外延材料 和芯片生产，产品具有完整自主知识产权，成本仅为以蓝宝石或碳化硅为衬底生长外延片的美日主流企业的几十分之一。
2007年该公司实际投资5200万美元，预计2008年完成投资2.5亿元。该公司的二期项目投资9亿元，将实现年产100亿颗蓝、绿光LED芯片；三 期投资15亿元，建设LED大功率照明应用产品及产业集群，吸引全球半导体上下游配套产业在南昌聚集，有望在南昌形成产值数十亿元的光电产业集群。
八、世纪晶源科技有限公司（未上市）
世纪晶源是2004年11月落户深圳的超大型中外合资企业，注册资本23亿元。
公司首期一厂半导体微波外延片、LED外延片、激光器外延片及激光器件已于去年十月实现投产，2008年预计实现销售收入超过3亿美元。该项目已成为全球 最大LED外延片厂，国内外有10多家LED芯片制造商已明确了LED外延片订货事宜，预计订货量每月超过5万片；首期项目的另一全球同行业最大LED芯 片厂，将于今年10月正式投产。
7、风险提示
1、核心技术需提升。目前国内企业主要集中在LED下游技术含量不高的封装领域，依靠价格优势在出口市场中取得地位，上中游领域薄弱。芯片供应能力远远不能满足需要，需要大量进口，这就大大制约了国内LED产业发展和盈利能力。
2、外资企业纷纷进入我国设厂，国外技术壁垒的频繁设置，可能成为我国LED产品参与国际竞争的一大障碍。
Re:"LED产业专利态势分析报告"哪儿可以下载？
政府分析的作用不大，几乎没有是么作用，我自己的一份应该比他的强，看过我的白光LED用硅酸盐和铝酸盐荧光粉的专利分析人，应该可以从一方面支持我说的真是性。需要了解LED产业链专利分析的可以向我咨询。Re:"LED产业专利态势分析报告"哪儿可以下载？
Re:"LED产业专利态势分析报告"哪儿可以下载？Re:"LED产业专利态势分析报告"哪儿可以下载？
感谢楼上tanytam、phsic27两位。那个图很好，不过似乎不是太完整Re:"LED产业专利态势分析报告"哪儿可以下载？
大功率LED专利技术状况分析2007-5-22 10:43:00 作者： 来源：中国照明杂志（陶玖祥 程启标） 浏览量：754次 网友评论：0 条
摘要：文章介绍了大功率LED当今发展趋势，及其国内专利技术分布情况。
编者按：早在中国远古时代，四大发明的出现，就标志着中国专利技术的诞生，从此就奠定下中国由古代文明逐渐步入现代文明的牢固基石。在这场由半导体引发的世界范围内的照明光源的革命中，涌现了大批的专利技术，它们从不同角度、不同层次，推动着LED技术的日臻完善，其专利重要性不言而喻。下面我们就来看看大功率LED专利技术目前的发展状况，将会对之有一个更深刻的认识，从而知其然与所以然，弥补不足之处，共促发展。
半导体照明产业发展前景
LED照明是半导体和传统照明产业结合的新兴产业，是最具有发展前景的高技术产业之一。半导体照明作为新型高效固体光源具有长寿命、节能、绿色环保、色彩丰富、微型化等显著特点，将成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃，半导体照明正在引发世界范围内的照明光源的一次革命。2003年6月国家启动半导体照明工程，2006年国家正式将“半导体照明产业化技术开发”作为“十一五”科技攻关重大项目。科技部建议：在将半导体照明产业化纳入国家重点发展的高技术产业的同时，以2008年北京奥运和2010年上海世博为契机推动半导体照明在工程中的运用。
据行业分析机构CIR的研究报告预测，全球LED市场销售额将从2004年的32亿美元增至2008年56亿美元，而大功率高亮度LED或基于LED的灯具由16亿元增至2亿美元，据美国Strategies Unlimited预测2010年将达5万亿美元，成为全球最大产业之一。Strategies Unlimited公司针对全球HB-LED及其照明市场的发展，预计未来整个HB-LED市场的年均增长率为21%，2007年将达47亿美元；而HB-LED照明市场年增长率更将高达44%，2007年可望达到5.2亿美元。届时，HB-LED照明市场所占整个HB-LED市场的份额将由2002年的5%提升到11%。2007年以后，HB-LED照明市场仍将继续增长，过了2010年，在世界照明市场上，HB-LED可占有很大的比重。随着高功率的LED出现，二十一世纪将进入以LED为代表的新型照明光源时代，被称为第四代新光源。
LED要在照明领域发展，进入特种照明的市场领域，并向普通照明市场迈进，关键是要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级，即需要研制大功率LED。由于LED芯片输入功率的不断提高，对这些功率型LED的封装技术提出了更高的要求。功率型LED封装技术主要应满足以下两点要求：一是封装结构要具有高取光效率；其二是热阻要尽可能低，以保证功率LED的光电性能和可靠性。功率型LED所用的外延材料采用MOCVD的外延生长技术和多量子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型LED的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增大芯片面积，加大工作电流来提高器件的光电转换效率，从而获得较高的发光通量。除了芯片外，LED封装产品在整个产业链的发展上起着承上启下的作用。业界应`投入更大的力度进行研究开发，以拥有自主产权的封装技术，从而赶上世界的封装水平。只有提高封装水平，才能真正使LED产业做大做强，为我国开发国际市场，参与国际市场竞争以及拓展应用产品领域和市场打下坚实的基础。另外，只有把封装产业做大做强，才能促进前工序外延、芯片产业的发展，才能使整个LED产业链获得更大地发展。 知识产权状况左右着半导体产业国际分工和相应的利益分配，要想提高我国半导体照明领域的国际竞争力，必须在高功率领域有自主知识产权。那么目前在国内半导体行业特别是大功率LED的专利部署方面情况怎样？其部署状态如何？
专利技术分布
我国国家知识产权局总计公开约408项大功率LED封装的专利文献，发明文献约占16%，其中公司发明专利申请中有南京汉德森半导体照明有限公司、大连路美光电公司、方大集团、台湾诠兴开发科技、光磊、光鼎、国联，国外有丰田合成、安捷伦科技、松下电工、LG电子公司、克立、奥斯兰姆、西铁城电子股份有限公司等专利技术分布最广，技术性最强，其中诠兴开发科技、国联、西铁城电子、奥斯兰姆申请并授权专利量最大，基本专利最多、最强。个人发明专利申请中，葛世潮、陈鸿文、朱建钦的文献较多。从技术内容看，国家知识产权局专利技术文献主要分布在如下领域：
第一、基底散热技术
西铁城电子的03110492.4号文献涉及用于发光二极管的基片。这种基片包括一对金属基底和设置于两金属基底之间的第一绝热层。第二绝热层牢固地装在金属基底上，并且一对电路图案牢固地装在第二绝热层上以用来安装发光二极管。其高热辐射性能以及优秀的绝热性能且可靠的基片，特别适用于诸如便携式装备之类。葛世潮个人专利200310113782.1号文献涉及大功率发光二极管基片。它包括有至少一个发光二极管芯片，所述芯片p-n结外表面上的光反射金属电极经高热导率材料直接贴装在一个金属底座上或经热导率比铜高几倍的金刚石基板贴装在一个金属底座上，所述高热导率粘贴材料可为混有小银珠或小金珠的焊锡、金刚石粉导热胶或混有银珠、银粉的导热胶；所述芯片的电极经金刚石基板上的导电层或电路板引出，所述金属底座有至少一个螺丝或螺丝孔，用于连接散热器；芯片和金属底座上有透光介质、透镜、发光材料，它可用于制造发光二极管灯、太阳能发光二极管灯、液晶显示的背照明和信息显示等。南京汉德森半导体照明有限公司的200510040764.4号文献涉及高散热效率的大功率半导体发光二极管封装基座及生产工艺，主要特征如下：在保持封装基座的外形尺寸不变和易于批量生产的情况下，扩大热沉底部的接触面积。主要工艺步骤如下：制造金属支架模片，注塑金属支架模片形成封装基座模片(不包括热沉)，在每一个封装基座的背面点胶，把热沉放置在每一个封装基座中，固化胶。本发明揭示的新型的具有高散热效率的热沉的大功率半导体发光二极管封装基座 (包括热沉)，也可以应用于其他半导体芯片或器件的封装基座。
第二、环氧树脂等透镜处理技术
诠兴开发科技股份有限公司的01144154.2号文献涉及具有微小透镜的表面黏著型发光二极管，包含：支架或基板：导电电极建构于其上；发光晶片：通以直流电流流经其正负电极后可发出特定波长的光线；导电线或导电材料：用来连接发光晶片与支架或基板；封装树脂：用以保护发光晶片及导电线或导电材料等；透过导电物质或黏著剂，将发光晶片固定在支架或基板上，再经过焊线作业后，将发光晶片的正负电极和支架或基板上的导电电极连接，将用模铸法(Molding)的方式封装树脂、发光晶片和导电线包覆成SMD LED，其特征在于：发光二极管在封装树脂表面具有复数个微小透镜结构，此结构可以提高发光亮度，使光指向性更集中。南京汉德森半导体照明有限公司的200510123050.X号文献涉及涉及采用1W以上大功率、高亮度的发光二极管(LED) 作为白光光源时所使用的出光透镜。通过合理的加工处理，使得透镜的出光面表面粗糙化并产生微观柔焦效应，减少了内反射，有效消除了LED白光聚焦光束光斑周围存在的其它颜色的光晕。该技术方案对于透镜材料的电光特性不构成损伤，透镜的透射率所受到的影响微乎其微。本发明可以有效提高大功率LED白光光源的发光质量，对于采用荧光粉配置的LED白光光源有着很好的应用前景。
第三、低成本紧凑型制造技术
克立公司的200480030943.3号文献涉及采用电表面安装的发光晶片封装。本发明揭示一种发光晶片封装。所述晶片封装包含衬底、反射板和透镜。所述衬底可由导热但电绝缘的材料制成，或者由既导热又导电的材料制成。在其中所述衬底由导电材料制成的实施例中，所述衬底进一步包含形成在所述导电材料上的电绝缘、导热的材料。所述衬底具有用以连接到安装垫上的发光二极管(LED)的迹线。所述反射板耦合到所述衬底且大体上围绕所述安装垫。所述反射板包含一反射表面，用以将来自所述LED的光沿所要方向引导。安捷伦科技有限公司的200510127642.9号文献涉及具有增强热耗散的小型发光器件封装和制造该封装的方法。该发明公开了一种发光器件封装和用于制造此封装的方法，利用了具有第一表面的第一引线框和具有第二表面的第二引线框，其相对定位为使得第二表面在比第一表面更高的层面处。发光器件封装包括例如发光二极管管芯的光源，其安装在第一引线框的第一表面上并电连接到第二引线框的第二表面。
第四、电路板上散热处理技术
诠兴开发科技股份有限公司的00133311.9号文献涉及大功率发光二极管的封装方法。他的特征是在电路板基材的预设位置放置发光二极管晶粒位置，做钻孔贯穿基板，并做贯孔电镀，再将电路板过焊锡炉，使有贯孔位置的孔洞填满焊锡而形成焊锡点，后再用模具将焊锡点冲压成凹槽反射座，再将晶粒放置于凹槽反射座中，焊电极线和用封胶树脂封装成型，能形成具有反射座的表面粘着发光二极管。安捷伦科技有限公司的200510115071.7号文献涉及安装具有增强热耗散的LED。通过使用安装到LCD面板支撑结构的现有PCB封装从而排除了对金属核 PCB的需求。使用具有热耗散垫的反向安装LED优化金属层的热传输，该金属层放置方式为与LCD支撑结构相接触，用于提高LED显示器的热耗散。三星的200410071337.8号文献涉及高功率LED封装，其中由高反射率的金属制成的基本上为平面的第一和第二引线框彼此预定的间隙。一个LED芯片被固定在至少一个引线框上面，使接线端分别和引线框电气连接。树脂制成的封装体将LED芯片密封在其中，同时牢靠地将引线框固定在其底部，密封材料填充到第一和第二引线框之间的间隙里面。该LED封装的结构可以有效地提高热辐射效率，从而减小其尺寸和厚度。
第五、静电处理技术
光磊科技股份有限公司的200410003284.6号文献涉及可防止静电破坏的发光二极管元件。该发明与一种发光二极管元件有关，尤指一种可防止静电破坏的发光二极管元件。主要是在一个表面绝缘基板上设有至少一个第一供电电路及至少一个第二供电电路，第一供电电路可电性连接于发光二极管的LED第一电极及抗静电保护元件的ESD第二电极，而第二供电电路则可电性连接于发光二极管的LED第二电极及抗静电保护元件的ESD第一电极，致使发光二极管及抗静电保护元件形成反接的并联电路。由于第一供电电路及第二供电电路的作用面积大于ESD第一电极及ESD第二电极的特性，因此，不但可简化制作程序及提高生产效率，又可增加发光二极管元件的使用寿命。北京工业大学的200410062248.7号文献涉及高抗静电高效发光二极管和制作方法，它包含利用一个导电型半导体材料制作的基板及发光二极管芯片，基板上制作有集成的双向稳压二极管，发光二极管芯片主要包含在透明蓝宝石衬底及在此衬底上的GaN结构层和整面P电极、N电极，将发光二极管芯片倒装在该基板上。发光二极管有源区发出的光从背面蓝宝石端取出，增加了取光面积，可以提高发光二极管的发光效率1.5-2倍。由于基板上集成了抗静电保护双向稳压二极管，有效增强了发光二极管抗静电放电能力，且发光二极管直接通过电极与特殊制作的基板接触，增大了接触面积，改善了蓝宝石散热不佳的特性，可实现大功率输出、降低成本、提高器件可靠性等作用。
第六、芯片电流均匀扩散技术
路美光电公司的03815816.7号文献涉及大功率、高光通量发光二极管及其制作方法，包括：衬底、发光结构，其沿着一垂直轴而被置于所述衬底之上。该发光结构包括：第一覆盖层和第二覆盖层；第一电极，其与所述发光结构的第一覆盖层接触，该第一电极有一条引线在第一方向上沿着一水平轴延伸，该水平轴垂直于所述垂直轴；第二电极，其与所述发光结构的第二覆盖层接触，该第二电极有至少两条引线在第二方向上沿着所述水平轴延伸，该第二方向与所述第一方向相反，所述第一电极的引线的一部分散置于所述第二电极的两条引线的相应部分之间并与其分隔开。厦门大学的200610092944.1号文献涉及树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极，不仅能使芯片的电流较均匀地扩展，而且对散热和减小光线的全反射也有一定帮助的树叶脉络形大功率GaN 基LED芯片的P、N电极。设有P电极和N电极，在GaN外延片的正面刻蚀出沟槽，将芯片分成至少2个小区域的集合，在P型GaN的表面生长一层透明导电层，在透明导电层上淀积P型电极，在沟槽内淀积N型电极，N型电极沿芯片对角线分布成树叶脉络的形状，P型电极环绕在芯片的边缘，并有触角伸出，可使大功率GaN基LED的电流在P、N电极之间更均匀地扩散，提高发光效率。
第七、特殊散热技术
朱建钦的朱建钦200610061225.3号文献涉及一种大功率半导体发光元件的封袋，包括至少一个以上内外电连接的LED芯片、LED基板。至少一个以上的LED 芯片每一个都在基板正面固定，基板底面接合半导体电子制冷片，半导体电子制冷片具有一冷端、一热端，冷端与基板底面接合，热端与散热底座形成热接触。该发明与传统散热片、热管等被动散热方式封装技术相比，在通电时就具有制冷功能，主动迅速地吸收大功率半导体发光芯片工作时产生的大量热量，为LED发光芯片和散热载片之间提供了一个高效的散热通道。吕大明的200510021051.3号文献涉及LED器件及其封装方法，将LED管芯用充有封装液的透光壳体密封起来，并将其导电端用电极从壳体内引出，所述封装液是具有大电阻率的透光液体，其电阻率远大于LED管芯的导通电阻率。该发明是采用上述封装方法的LED器件。其优点在于：突破性地采用液态封装技术来取代常规的全固体结构，使得LED管芯的散热可通过电极传导和封装液对流的双重方式来进行，为大功率LED封装开辟出了一条崭新的发展道路。
专利部署态势
我国国家知识产权局大功率LED封装专利部署有以下特点：1、大部分重要封装专利来自我国台湾厂商和国外大公司；2、国内专利为院校和企业共同拥有但为数不多；3、有少数专利掌握在个人手里。从知识产权局专利分布上看：国际上LED照明技术核心专利都被外国几家大公司控制，这些公司利用各自的核心专利，采取横向纵向扩展方式，在全世界范围内布置专利网。这些关键专利都掌握在日本、美国、德国少数国家的少数大公司手中，如日本的日亚、丰电合成、东芝、索尼，美国的克立、LUMILEDS，德国的欧斯兰等公司，基本覆盖了从衬底制备、外延材料、器件设计、管芯工艺到封装和应用设计的各个方面。我国申请人未掌握上游核心技术。发明专利少，大多是外围技术，然而数量不多的外围专利和下游水平底无法形成专利网布局。另外，一些申请人未向境外申请专利。这种境内无法形成专利网布局、境外没有专利保护的现状，使得我国半导体照明领域的知识产权成为产业发展的软肋。封装领域，在国际主流封装技术领域中基座和荧光粉材料方面我国与国外差距巨大，但我国的专利申请有自身的优势分支，如二次光学设计和灯具散热等。 根据我国国家知识产权局专利布局及LED产业的发展可以看出LED封装产品在整个产业链的发展上起着举足轻重的作用。只有这样才能使整个LED产业链获得更大的发展。在知识产权方面，鼓励多种技术路线并存，鼓励发明创新，以外围专利包围核心专利。上中游产业以开拓新的白光技术路线为主，发展市场前景好、可操作性强的技术，并以发明专利为主进行专利申报；同时不放松对上中游产业主流技术路线的外围专利技术开发，形成以外围专利包围核心专利的态势，在市场竞争中占据有利地位。在下游封装及应用产品领域，充分发挥我国实用新型专利多的优势，提倡申报应用产品的外观设计专利。 总之，集中精力在一些技术关键点实现突破，形成自主知识产权。尤其是下游的大功率LED的封装技术，虽然与国外技术差距大，但可选准选好技术突破点，集中国内优势力量进行攻关，同时，要特别重视知识产权的保护。我们必须尽可能在一些技术关键点上作出突破并拥有专利，从而有效保护国内市场不为国外企业通过专利来垄断，也为企业走出去开拓市场奠定基础。在政策环境的优势、市场的优势、产业自身的优势、成本优势下我国的半导体照明行业定会走在半导体照明革命的前列。
参考文献
2006 中国（深圳）国际半导体照明论坛报告文集
马小军《美国固态照明技术进展概况、趋势与展望》
作者简介：
陶玖祥：现任职于真明丽集团公司研发总部资深顾问，曾任鹤山银雨灯饰有限公司标准部经理，专利标准部高级经理；曾获鹤山市杰出外来工荣誉称号和江门市科学技术进步奖励二等奖、三等奖；中国标准化协会会员，中国知识产权学会高级会员，中国照明学会高级会员；多次参与灯具国家标准和美国UL标准制订工作。
Re:"LED产业专利态势分析报告"哪儿可以下载？
感谢楼上tanytam、phsic27、zhenjiansen 三位，呵呵。那个图很新的统计，多谢～～